CMS6971 CMS6971B CMS6971C这款芯片集成了一个带载能力为60mA的5V低压差线性稳压器（LDO），该LDO能够为芯片内部的逻辑电路以及外部的微控制单元（MCU）提供电力支持。在芯片内部集成了多种保护功能，像欠压保护、输入直通保护以及启动保护等，并且还内置了300ns的死区时间，这些设计都能够有效地确保系统正常工作。它输出的驱动电压为11V，其灌漏电流能力相当优异，凭借这一特性可以很好地驱动外部的P/N MOS功率管。

• 功率管驱动类型：它是用于P/N MOS功率管三相栅极驱动的芯片。

• 电源电压范围：其电源电压的范围在6.8V到36V之间，这样的范围使得该芯片可以在多种不同的电压环境下正常工作。

• 低待机功耗特性：这种特性能够在设备处于待机状态时减少电力的消耗，从而实现节能的目的。

• 不同输出电流能力：在VBB2 = 24V的情况下，HO输出电流为 + 0.49A / - 0.08A，LO输出电流为 + 0.08A / - 0.28A，这些数据表明了芯片在特定电压下的输出电流能力。

• LDO相关特性：

• 芯片内置了5V/60mA的LDO，并且这个LDO还具备重载启动保护功能，这一功能可以在LDO处于重载启动的情况下对其进行保护。

• 其他保护与功能特性：

• 内置电源欠压保护（UVLO），当电源电压低于一定数值时，这个保护功能就会启动，防止芯片因欠压而出现故障。

• 具有内置直通防止功能，能够避免一些不必要的直通情况发生，从而提高电路的安全性和稳定性。

• 内置的300ns死区时间对于芯片的正常运行有着重要意义。

• 高低侧通道匹配这一特性有助于提高电路的整体性能。

• 输入逻辑兼容性：该芯片具备3.3V、5V输入逻辑兼容的特性，这使得它可以方便地与不同逻辑电平的电路进行连接和协同工作。