CMS6164D是针对双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路设计的三相中压高速栅极驱动IC，适用于直流无刷和直流有刷电机等方案。它由输入信号控制高低侧输出，有300ns最小死区时间（单片机输出死区时间大于此值时按单片机设置），还有VCC、VBS欠压保护防止低电压开启外部功率管。

产品特性包括：悬浮偏移电压达 + 200V；电源电压7 - 20V；多种内置保护功能（VCC、VBS欠压保护、直通防止）；300ns死区时间；高低端通道匹配；输出与输入同相；输入引脚有下拉电阻；3.3V/5V输入逻辑兼容；高峰值电流输出能力（特定电压和负载下有具体的上升、下降时间对应的输出和吸入电流数值）。

1. 应用与基本原理

   - CMS6164D作为三相中压高速栅极驱动IC，在采用双N沟道VDMOS功率管或IGBT构成的桥式电路中有重要应用，尤其是在直流无刷和直流有刷电机相关方案中。它通过输入信号（HIN、LIN）分别对高侧驱动电路输出（HO）和低侧驱动电路输出（LO）进行控制，这是其基本的工作原理。

2. 死区时间相关

   - 芯片内置300ns的死区时间，这是最小死区时间。当单片机输出信号的死区时间大于这个内置值时，实际的死区时间就按照单片机设置的来执行。死区时间的设置对于防止上下桥臂同时导通（直通现象）非常重要，它为电路的稳定运行提供了保障。

3. 欠压保护功能

   - 内置的VCC、VBS欠压（UVLO）保护功能，主要目的是防止系统在低驱动电压的情况下开启外部功率管。当VCC或VBS电压过低时，该保护功能启动，避免因低电压驱动功率管可能导致的电路故障或性能下降等问题。

4. 产品特性细节

   - 悬浮偏移电压：悬浮偏移电压为 + 200V，这一特性满足了特定电路对电压的要求，在一些特殊的电路拓扑结构中，例如涉及到较高电压隔离或特殊的功率转换场景下，这个特性有助于芯片正常工作。

   - 电源电压工作范围：7 - 20V的电源电压工作范围使芯片能够适应多种电源供应情况。在这个范围内，芯片可以稳定地为外部功率管提供合适的驱动信号，不同的电源电压可以根据实际应用场景灵活选择。

   - 内置功能

     - 内置直通防止功能，这是与死区时间设置相辅相成的功能，进一步确保电路不会出现上下桥臂同时导通的直通问题，提高了电路的可靠性和安全性。

     - 高低端通道匹配特性有助于优化电路性能，保证在驱动功率管时，高低侧通道之间的协调工作，减少因通道不匹配可能导致的电路损耗或信号失真等问题。

     - 输出与输入同相的特性使得输入信号和输出信号之间的关系更加直观和易于控制，方便在电路设计中进行信号的处理和逻辑判断。

     - 输入引脚内置下拉电阻，这个电阻的存在有助于在输入信号未明确时确定输入引脚的初始状态，防止输入引脚出现悬浮状态而导致的信号不确定性，提高了电路的稳定性。

     - 3.3V/5V输入逻辑兼容的特性使得芯片可以方便地与不同逻辑电平的电路进行连接，无论是采用3.3V逻辑电平还是5V逻辑电平的电路，都能够与CMS6164D正常协同工作，增加了芯片的通用性。

   - 高峰值电流输出能力

     - 峰值输出电流在15V、3.3nF负载时为1.0A，上升时间为32ns。这表明在这种特定的电压和负载条件下，芯片能够快速地提供1.0A的输出电流，32ns的上升时间反映了电流上升的速度，这对于需要快速响应的电路场景非常重要，比如在电机启动或快速切换负载的情况下。

     - 峰值吸入电流在15V、3.3nF负载时为2.1A，下降时间为20ns。吸入电流和输出电流类似，只是电流的流向不同，2.1A的峰值吸入电流和20ns的下降时间同样体现了芯片在特定条件下的电流处理能力，在电路中，如功率管关断时的电流吸收等场景下发挥作用。